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FET，MOSFET - 單個
IPD90N06S4L05ATMA2參考圖片

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IPD90N06S4L05ATMA2

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
汽車級，AEC-Q101，OptiMOS?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
90A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
4.6 毫歐 @ 90A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 60μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
110nC @ 10V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
8180pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
107W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO252-3-11
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
商品其它信息
優勢價格，IPD90N06S4L05ATMA2的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
暫無價格
參考庫存:33205
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
暫無價格
參考庫存:33213
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
暫無價格
參考庫存:33229
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK
暫無價格
參考庫存:33237
EPC
FET，MOSFET - 單個
GANFET TRANS 40V BUMPED DIE
暫無價格
參考庫存:33245
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