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FET，MOSFET - 單個
PHD38N02LT,118參考圖片

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PHD38N02LT,118

  • Nexperia USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchMOS?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
44.7A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
16 毫歐 @ 25A，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
15.1nC @ 5V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
800pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
57.6W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CHANNEL 100V 47A 8DFN
暫無價格
參考庫存:49950
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 900V 9A TO247
暫無價格
參考庫存:49958
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 22A TO247
暫無價格
參考庫存:49998
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 4-PIN
暫無價格
參考庫存:50014
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK
暫無價格
參考庫存:50022
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