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FET,MOSFET - 單個
NVD5C648NLT4G參考圖片

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NVD5C648NLT4G

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
汽車級,AEC-Q101
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
18A(Ta),89A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
4.1 毫歐 @ 45A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
39nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
2900pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.1W(Ta),72W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
暫無價格
參考庫存:36748
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
暫無價格
參考庫存:36756
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
暫無價格
參考庫存:36764
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
暫無價格
參考庫存:36772
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:36780
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