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FET，MOSFET - 單個
NVD5C648NLT4G參考圖片

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NVD5C648NLT4G

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
汽車級，AEC-Q101
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
18A（Ta），89A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
4.1 毫歐 @ 45A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
39nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2900pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），72W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220-SMD
暫無價格
參考庫存:51133
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 90A TO-263
暫無價格
參考庫存:51141
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:51157
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 45V 6.5A MPT6
暫無價格
參考庫存:51165
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 40V 24A TO252
暫無價格
參考庫存:51173
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