亚洲久久一区二区,亚洲精品合集,成人综合激情网

FET，MOSFET - 單個

圖片僅供參考，請參閱產品規格

購買、咨詢產品請填寫詢價信息

詢價型號*	數量*	批號	封裝	品牌	其它要求

請確認聯系方式，3分鐘內即可給您回復

庫存：48,431(價格僅供參考)

數量	單價	合計
暫無價格,請聯系詢價

詢價數量：

加入詢價單立即詢價

相關型號

數據手冊

參數信息

參數	參數值
包裝	剪切帶（CT）
系列	汽車級，AEC-Q101，DeepGATE?，STripFET? VI
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）	40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）	80A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）	4 毫歐 @ 40A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）	65nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）	3850pF @ 25V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	110W（Tc）
工作溫度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型	表面貼裝型
供應商器件封裝	D2PAK
封裝/外殼	TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

商品其它信息

優勢價格，STB120N4F6的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。

推薦型號