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FET，MOSFET - 單個
SIHD3N50DT4-GE3參考圖片

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SIHD3N50DT4-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 500V DPAK TO-252
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
D
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
500V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
3A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
3.2 歐姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
12nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
175pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
69W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D-PAK（TO-252AA）
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V
暫無價格
參考庫存:32810
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:11786
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70
暫無價格
參考庫存:17824
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CHAN 150V
暫無價格
參考庫存:17826
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 45-V PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:17834
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