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FET，MOSFET - 單個

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DMTH6012LPSWQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET 41V~60V POWERDI5060-8/SWP
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
汽車級，AEC-Q101
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
2.22V @ 15V，75A
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
14 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
13.6nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
785pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
78689-0001
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
Accelerometer，3 Axis，Impact
封裝/外殼
8-PowerTDFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 14A 8PQFN
暫無價格
參考庫存:28905
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
暫無價格
參考庫存:28913
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262
暫無價格
參考庫存:28921
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V TO-251-3
暫無價格
參考庫存:28929
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH TO220-3
暫無價格
參考庫存:28937
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