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FET,MOSFET - 單個

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SIDR608DP-T1-RE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 45V PP SO-8
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
TrenchFET? Gen IV
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
45V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
51A(Ta),208A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
1.2 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
167nC @ 10V
Vgs(最大值)
+20V,-16V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
8900pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
6.25W(Ta),104W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? SO-8DC
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
暫無價格
參考庫存:274084
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:10719
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO
暫無價格
參考庫存:29386
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
暫無價格
參考庫存:29410
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 14A ECH8
暫無價格
參考庫存:264216
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