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FET，MOSFET - 單個
IXFT60N65X2HV參考圖片

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IXFT60N65X2HV

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HiPerFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
60A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
52 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 4mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
108nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
6300pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
780W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-268HV
封裝/外殼
TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
暫無價格
參考庫存:3159
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 900V 12A TO-247
暫無價格
參考庫存:32874
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI3
暫無價格
參考庫存:32890
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227
暫無價格
參考庫存:32898
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247
暫無價格
參考庫存:4228
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