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FET,MOSFET - 單個
IXTT10N100D2參考圖片

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IXTT10N100D2

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
1000V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
10A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
1.5 歐姆 @ 5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
200nC @ 5V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
5320pF @ 25V
FET 功能
耗盡模式
功率耗散(最大值)
695W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-268
封裝/外殼
TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
暫無價格
參考庫存:23370
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:23394
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:23410
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
暫無價格
參考庫存:23426
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:23434
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