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FET，MOSFET - 單個
IXTP10N60P參考圖片

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IXTP10N60P

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
Polar?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
10A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
740 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
32nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1610pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
200W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220AB
封裝/外殼
TO-220-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 400V 1.7A I-PAK
暫無價格
參考庫存:33413
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262
暫無價格
參考庫存:33421
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
暫無價格
參考庫存:33437
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
暫無價格
參考庫存:33445
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
暫無價格
參考庫存:33453
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