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FET,MOSFET - 單個
APT11F80B參考圖片

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APT11F80B

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
POWER MOS 8?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
12A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
900 毫歐 @ 6A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
80nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
2471pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
337W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247 [B]
封裝/外殼
TO-247-3
商品其它信息
優勢價格,APT11F80B的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263
暫無價格
參考庫存:5968
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH TO252-5
暫無價格
參考庫存:47918
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
暫無價格
參考庫存:47926
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 300A PG-HSOG-8-1
暫無價格
參考庫存:47934
FET,MOSFET - 單個
MOSFET TRANSISTOR N-CH CHIP
暫無價格
參考庫存:47950
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