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FET,MOSFET - 單個
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BSC009NE2LSATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
OptiMOS?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
25V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
41A(Ta),100A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
0.9 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
126nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
5800pF @ 12V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),96W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TDSON-8-7
封裝/外殼
8-PowerTDFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
暫無價格
參考庫存:26183
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
暫無價格
參考庫存:26191
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 15A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:26199
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
暫無價格
參考庫存:26207
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 94A TO-247
暫無價格
參考庫存:26215
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