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FET，MOSFET - 單個
BSC009NE2LSATMA1參考圖片

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BSC009NE2LSATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
OptiMOS?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
25V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
41A（Ta），100A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
0.9 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
126nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
5800pF @ 12V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），96W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TDSON-8-7
封裝/外殼
8-PowerTDFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 10.4A DFN2523-6
暫無價格
參考庫存:33747
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
暫無價格
參考庫存:33755
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 80A TO220
暫無價格
參考庫存:33763
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:33771
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
暫無價格
參考庫存:33779
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