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FET，MOSFET - 單個
RQ6E080AJTCR參考圖片

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RQ6E080AJTCR

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • RQ6E080AJ IS LOW ON - RESISTANCE
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
8A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
16.5mOhm @ 8A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 2mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
16.2nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1810pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
950mW（Ta）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TSMT6（SC-95）
封裝/外殼
SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 36A I-PAK
暫無價格
參考庫存:32136
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
暫無價格
參考庫存:32144
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
暫無價格
參考庫存:32152
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
暫無價格
參考庫存:32168
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:32176
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