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FET，MOSFET - 單個
BSC196N10NSGATMA1參考圖片

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BSC196N10NSGATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
OptiMOS?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
8.5A（Ta），45A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
19.6 毫歐 @ 45A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 42μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
34nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2300pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
78W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TDSON-8-1
封裝/外殼
8-PowerTDFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
SUPERFET3 650V TO247 PKG
暫無價格
參考庫存:4153
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 19A POWERFLAT5X6
暫無價格
參考庫存:17240
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 100V 4.4A 8MLP
暫無價格
參考庫存:152242
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220
暫無價格
參考庫存:32246
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
暫無價格
參考庫存:17250
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