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FET，MOSFET - 單個
STW31N65M5參考圖片

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STW31N65M5

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-CH 650V 22A TO-247
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
MDmesh? V
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
22A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
148 毫歐 @ 11A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
45nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
816pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247
封裝/外殼
TO-247-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 7A TO-220FP
暫無價格
參考庫存:12609
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
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FET，MOSFET - 單個
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FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP
暫無價格
參考庫存:12658
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 5.4A
暫無價格
參考庫存:11785
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