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產(chǎn)品分類

FET,MOSFET - 單個(gè)
IRFD9020PBF參考圖片

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IRFD9020PBF

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
P 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
1.6A(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時(shí)的Rds On(最大值)
280 毫歐 @ 960mA,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)(最大值)
19nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)
570pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.3W(Ta)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
4-DIP,Hexdip,HVMDIP
封裝/外殼
4-DIP(0.300",7.62mm)
商品其它信息
優(yōu)勢價(jià)格,IRFD9020PBF的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價(jià)格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
暫無價(jià)格
參考庫存:43413
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 30V 8SOIC
暫無價(jià)格
參考庫存:43437
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
暫無價(jià)格
參考庫存:43453
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
暫無價(jià)格
參考庫存:43461
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 650V TO PKG
暫無價(jià)格
參考庫存:43469
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