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FET，MOSFET - 單個
SIDR622DP-T1-GE3參考圖片

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SIDR622DP-T1-GE3

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
TrenchFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
150V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
64.6A（Ta），56.7A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
7.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
17.7 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
41nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1516pF @ 75V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
6.25W（Ta），125W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? SO-8DC
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 78A 8-DFN
暫無價格
參考庫存:43907
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
暫無價格
參考庫存:43915
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
暫無價格
參考庫存:43931
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 7A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:43939
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
暫無價格
參考庫存:43947
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