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FET,MOSFET - 單個
SIHD12N50E-GE3參考圖片

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SIHD12N50E-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CHAN 500V DPAK
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
管件
系列
E
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
550V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
10.5A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
380 毫歐 @ 6A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
50nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
886pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
114W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
D-PAK(TO-252AA)
封裝/外殼
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
商品其它信息
優(yōu)勢價格,SIHD12N50E-GE3的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 6.3A TSOP-6
暫無價格
參考庫存:35369
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
暫無價格
參考庫存:35419
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 18A
暫無價格
參考庫存:35427
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
暫無價格
參考庫存:35459
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
暫無價格
參考庫存:35467
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