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FET，MOSFET - 單個
SCT3080KRC14參考圖片

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SCT3080KRC14

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • 1200V NCH SIC TRENCH MOSFET IN 4
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）
1200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
31A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
104 毫歐 @ 10A，18V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5.6V @ 5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
60nC @ 18V
Vgs（最大值）
+22V，-4V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
785pF @ 800V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
165W
工作溫度
175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247-4L
封裝/外殼
TO-247-4
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 19A D-PAK
暫無價格
參考庫存:31264
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 30A TO-262
暫無價格
參考庫存:31272
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AC
暫無價格
參考庫存:31280
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
暫無價格
參考庫存:31288
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
暫無價格
參考庫存:31296
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