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FET，MOSFET - 單個
SI2329DS-T1-GE3參考圖片

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SI2329DS-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態
有源
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
8V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
6A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
30 毫歐 @ 5.3A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
800mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
29nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1485pF @ 4V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
暫無價格
參考庫存:401652
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:44463
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
暫無價格
參考庫存:44471
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
暫無價格
參考庫存:44479
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:14178
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