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FET,MOSFET - 單個
SI2329DS-T1-GE3參考圖片

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SI2329DS-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態
有源
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
8V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
6A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
30 毫歐 @ 5.3A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
29nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1485pF @ 4V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SOT-23-3(TO-236)
封裝/外殼
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:35275
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
暫無價格
參考庫存:35283
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
暫無價格
參考庫存:35291
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 26A TO-220
暫無價格
參考庫存:35299
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
暫無價格
參考庫存:35315
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