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FET,MOSFET - 單個
TP2510N8-G參考圖片

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TP2510N8-G

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
480mA(Tj)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
3.5 歐姆 @ 750mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
2.4V @ 1mA
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
125pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.6W(Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-243AA(SOT-89)
封裝/外殼
TO-243AA
商品其它信息
優勢價格,TP2510N8-G的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 80A TO220
暫無價格
參考庫存:29747
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
暫無價格
參考庫存:29755
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
暫無價格
參考庫存:29763
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92
暫無價格
參考庫存:29771
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
暫無價格
參考庫存:29779
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