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FET，MOSFET - 單個
IXTH1N200P3參考圖片

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IXTH1N200P3

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
2000V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
1A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
40 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
23.5nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
646pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247（IXTH）
封裝/外殼
TO-247-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
暫無價格
參考庫存:39329
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F
暫無價格
參考庫存:39337
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 34A TO-247
暫無價格
參考庫存:39353
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6
暫無價格
參考庫存:39361
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
暫無價格
參考庫存:39369
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