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FET,MOSFET - 單個
RQ5H020TNTL參考圖片

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RQ5H020TNTL

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • RQ5H020TN IS A SMALL SIGNAL MOSF
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
45V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
2A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
180mOhm @ 2A,4.V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
4.1nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
200pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
700mW(Ta)
工作溫度
150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TSMT3
封裝/外殼
SC-96
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
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4V DRIVE NCH MOSFET. MOSFETS ARE
暫無價格
參考庫存:16758
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X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
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參考庫存:16766
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