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存儲器
HYB25D128800CE-6參考圖片

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HYB25D128800CE-6

  • Qimonda
  • 最新
  • IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
Digi-Key 停產
存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術
SDRAM - DDR
存儲容量
128Mb （16M x 8）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
166MHz
寫周期時間 - 字，頁
-
訪問時間
-
電壓 - 電源
2.3V ~ 2.7V
工作溫度
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
66-TSSOP（0.400"，10.16mm 寬）
供應商器件封裝
66-TSOP II
商品其它信息
優勢價格，HYB25D128800CE-6的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
暫無價格
參考庫存:33410
存儲器
IC FLASH 512GBIT MMC 153WFBGA
暫無價格
參考庫存:33418
存儲器
IC EEPROM 1K SPI 10MHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:33426
存儲器
IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
暫無價格
參考庫存:33442
存儲器
IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8SO
暫無價格
參考庫存:33450
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