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存儲器
CY14B104L-BA25XI參考圖片

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CY14B104L-BA25XI

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲容量
4Mb （512K x 8）
存儲器接口
并聯
寫周期時間 - 字，頁
25ns
訪問時間
25ns
電壓 - 電源
2.7V ~ 3.6V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
48-TFBGA
供應商器件封裝
48-FBGA（6x10）
商品其它信息
優勢價格，CY14B104L-BA25XI的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC EEPROM 128K SPI 10MHZ 8TSSOP
暫無價格
參考庫存:24001
存儲器
IC CBRAM 128K I2C 1MHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:24009
存儲器
IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8TSSOP
暫無價格
參考庫存:24017
存儲器
8-UDFN, IND TEMP, 1.65V, T&R
暫無價格
參考庫存:24025
存儲器
IC EEPROM 8K SPI 5MHZ 8TSSOPB
暫無價格
參考庫存:24033
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