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存儲器
CYD18S18V18-200BBAXI參考圖片

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CYD18S18V18-200BBAXI

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
易失
存儲器格式
SRAM
技術
SRAM - 雙端口，同步
存儲容量
18Mb （1M x 18）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
200MHz
寫周期時間 - 字，頁
-
訪問時間
3.3ns
電壓 - 電源
1.42V ~ 1.58V，1.7V ~ 1.9V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
256-LBGA
供應商器件封裝
256-FBGA（17x17）
商品其它信息
優勢價格，CYD18S18V18-200BBAXI的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC EEPROM 16K SPI 2MHZ 8DIP
暫無價格
參考庫存:10675
存儲器
IC EEPROM 1K SPI 2MHZ 8TSSOP
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參考庫存:31072
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存儲器
IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
暫無價格
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存儲器
16MBIT SPI/SQI FLASH 125C INDUST
暫無價格
參考庫存:11636
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