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存儲器
MT49H32M18SJ-25:B TR參考圖片

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MT49H32M18SJ-25:B TR

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術
DRAM
存儲容量
576Mb (32M x 18)
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
400MHz
寫周期時間 - 字,頁
-
訪問時間
20ns
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.9V
工作溫度
0°C ~ 95°C(TC)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
144-TFBGA
供應商器件封裝
144-FBGA(18.5x11)
商品其它信息
優勢價格,MT49H32M18SJ-25:B TR的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC FLASH 4.5V TO 5.5V 1MBIT
暫無價格
參考庫存:32005
存儲器
IC EEPROM 16K SPI 3MHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:32013
存儲器
IC CBRAM 64K SPI 5MHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:32021
存儲器
IC EPROM 1.5K SINGLE WIRE TO92-3
暫無價格
參考庫存:32029
存儲器
IC EEPROM 512K I2C 1MHZ 8SOIJ
暫無價格
參考庫存:9496
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