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存儲器
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E參考圖片

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MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

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參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術
SDRAM - Mobile LPDDR4
存儲容量
16Gb（512M x 32）
存儲器接口
-
時鐘頻率
1866MHz
寫周期時間 - 字，頁
-
電壓 - 電源
1.1V
工作溫度
-40°C ~ 105°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
200-WFBGA
供應商器件封裝
200-WFBGA（10x14.5）
商品其它信息
優勢價格，MT53B512M32D2DS-053 AAT:E的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP
暫無價格
參考庫存:32942
存儲器
IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP
暫無價格
參考庫存:32950
存儲器
IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP
暫無價格
參考庫存:32958
存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
暫無價格
參考庫存:32966
存儲器
IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
暫無價格
參考庫存:32974
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