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存儲器
IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR參考圖片

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IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
PSRAM
技術
PSRAM（偽 SRAM）
存儲容量
64Mb （4M x 16）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
并聯
寫周期時間 - 字，頁
55ns
訪問時間
55ns
電壓 - 電源
2.7V ~ 3.6V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
48-TFBGA
供應商器件封裝
48-TFBGA（6x8）
商品其它信息
優勢價格，IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP
暫無價格
參考庫存:5806
存儲器
256MB, 56 PIN TSOP, 3V, ROHS, IT
暫無價格
參考庫存:5592
存儲器
SPIFLASH, 1.8V, 32M-BIT, 4KB UNI
暫無價格
參考庫存:29634
存儲器
IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:64941
存儲器
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 24BGA
暫無價格
參考庫存:6177
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