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存儲器
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IS61NVP51236-200B3LI

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
易失
存儲器格式
SRAM
技術
SRAM - 同步，SDR
存儲容量
18Mb （512K x 36）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
200MHz
寫周期時間 - 字，頁
-
訪問時間
3.1ns
電壓 - 電源
2.375V ~ 2.625V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
165-TBGA
供應商器件封裝
165-TFBGA（13x15）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC EEPROM 2K SPI 3MHZ 8DIP
暫無價格
參考庫存:10603
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存儲器
IC EEPROM 8K SPI 10MHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:6971
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