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存儲器
BQ4010MA-150參考圖片

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BQ4010MA-150

  • Texas Instruments
  • 最新
  • IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲容量
64Kb （8K x 8）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
并聯
寫周期時間 - 字，頁
150ns
訪問時間
150ns
電壓 - 電源
4.75V ~ 5.5V
工作溫度
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
28-DIP 模塊（0.61"，15.49mm）
供應商器件封裝
28-DIP 模塊（18.42x37.72）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA
暫無價格
參考庫存:43403
存儲器
IC FLASH 512M SPI 133MHZ 24BGA
暫無價格
參考庫存:43411
存儲器
2G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V
暫無價格
參考庫存:43419
存儲器
IC SRAM 32K PARALLEL 52PLCC
暫無價格
參考庫存:43427
存儲器
IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
暫無價格
參考庫存:43435
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