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存儲器
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AS6C2008A-55BINTR

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
SRAM
技術
SRAM - 異步
存儲容量
2Mb （256K x 8）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
并聯
寫周期時間 - 字，頁
55ns
訪問時間
55ns
電壓 - 電源
2.7V ~ 5.5V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
36-TFBGA
供應商器件封裝
36-TFBGA（6x8）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC CBRAM 64K SPI 10MHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:37329
存儲器
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
暫無價格
參考庫存:37353
存儲器
IC EEPROM 128K SPI 10MHZ 8DFN
暫無價格
參考庫存:37361
存儲器
IC EEPROM 32K I2C 400KHZ 8SSOPB
暫無價格
參考庫存:37369
存儲器
IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
暫無價格
參考庫存:37377
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