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存儲器

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IS43DR86400D-3DBLI

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術
SDRAM - DDR2
存儲容量
512Mb （64M x 8）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
333MHz
寫周期時間 - 字，頁
15ns
訪問時間
450ps
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.9V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
60-TFBGA
供應商器件封裝
60-TWBGA（8x10.5）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC EEPROM 256K SPI 10MHZ 8LAP
暫無價格
參考庫存:34949
存儲器
IC EEPROM 8K SPI 10MHZ WAFER
暫無價格
參考庫存:34957
存儲器
IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:34965
存儲器
IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:34981
存儲器
IC EEPROM 512K I2C 400KHZ WAFER
暫無價格
參考庫存:34989
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