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存儲器
CY14V116N-BZ30XI參考圖片

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CY14V116N-BZ30XI

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術
NVSRAM(非易失性 SRAM)
存儲容量
16Mb (1M x 16)
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
并聯
寫周期時間 - 字,頁
30ns
訪問時間
30ns
電壓 - 電源
1.7V ~ 3.6V
工作溫度
-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
165-LBGA
供應商器件封裝
165-FBGA(15x17)
商品其它信息
優勢價格,CY14V116N-BZ30XI的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC FLASH 1M PARALLEL 32DIP
暫無價格
參考庫存:39354
存儲器
IC MEM FLASH 16M SPI 8SOP
暫無價格
參考庫存:39362
存儲器
IC EEPROM 8K SPI 20MHZ 8TSSOP
暫無價格
參考庫存:39370
存儲器
IC EPROM 256K PARALLEL 32PLCC
暫無價格
參考庫存:39378
存儲器
IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
暫無價格
參考庫存:39394
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